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02パワー半導体基板および材料の熱特性（熱抵抗）の評価をわずか30秒の測定で評価・解析パワー半導体実装基板熱特性評価・解析装置TE100パワー半導体実装基板熱特性評価・解析装置TE100チラー（指定品）CFA302SiCmicroheaterchip（TEGチップ）についてTEGチップは安定性の優れた発熱温度を維持できるので、精度よく熱抵抗測定が実施できます。厚さ：0.35mm特許取得済みCu/Au電極パッドPt薄膜ヒーター(～30Ω)Pt薄膜温度プローブ(～70Ω)チップ裏面メタライズ：Ti/Ag5mm×5mm,4Hn-SiCchip5mm5mm評価サンプル（例）熱特性の測定が可能なサンプル種類 パワー半導体用の基板（セラミック、樹脂など） TIM*¹材（シート系、グリス系、硬化型系など） 焼結材（Al、Aｇなど） 薄膜（絶縁材、半導体材料など） ペースト材、接着剤● 熱特性の確認が必要となる材料の「熱抵抗値」の測定と相対比較が可能です。● 測定にはSiCmicroheaterchip(TEGチップ)が必要になります。● メタライズ基板を模擬しての測定も可能です。別途ご相談ください。＊1ThermalInterfaceMaterial測定対象が基板材料の場合、上図のように、メタライズ基板を構成しての評価ができます。評価用のサンプル（例）30mm30mmメタライズ基板● 制御部と計測部で構成● モニター、キーボード、マウス、USBメモリは付属しておりません● 動作には別売のチラーCFA302および外部通信アダプタ変換器が必要です● TEGチップ（消耗品）が必要です● 解析システム（ソフト）を付属しております パワーデバイス基板の熱特性（熱抵抗）の評価装置 ISO4825-1：2023に準じ評価 モジュール構造による放熱特性の評価が可能 基板の個別材料の放熱特性の測定評価が可能電力供給用ワイヤー（2種対）ワイヤーボンディングTEGチップデバイス接合（銀ペーストなど）メタル回路ベースボンディング基板材料（サンプル）ボンディングメタルベース
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03開発経緯背景次世代パワー半導体(SiCおよびGaN)の開発加速により、パワエレ機器が小型・ハイパワー化し、電気自動車をはじめパワエレ機器の市場に拡大されているが、パワエレ機器が高温状態に曝されることで、効率低下や信頼性担保などの課題が残っている。この課題解決のため、各部材メーカーおよびパワエレ機器メーカーは、高放熱・高信頼性化の更なる向上を目指している。評価方法は、TEGチップと水冷ヒートシンクの温度差をTEGチップの加熱させる電力で割ることで温度抵抗値を求めます1) TEGチップに電力を供給して加熱する一方、チラーを使ってヒートシンクを冷却する。2) TEGチップの測定温度とヒートシンクの温度の差を求める。3) 熱抵抗値※1Rth〔K/W〕に換算。水冷ヒートシンク電力Q（W）にて加熱水冷ヒートシンク温度Th[℃]TEGチップTEGチップ温度Ti[℃]温度差ΔT[K]評価用サンプルTIM（グリースなど）チラー※１チップ温度とベースのヒートシンク表面温度の温度差を、チップに投入した電力で割ったものを熱抵抗と定義しています。実効的な熱抵抗Rth＝（TiｰTh）/Q＝ΔT/QHeat評価システム標準化・規格制定関連規格ISO4825-1:2023ISO公式HP https://www.iso.org/standard/80379.htmlFineceramics（advancedceramics,advancedtechnicalceramics）-Testmethodforthermalpropertymeasurementsofmetalizedceramicsubstrates-Part1:Evaluationofthermalresistanceforuseinpowermodules.評価方法を日本セラミック協会標準化運営委員会のもと、ISO規格化する国家プロジェクトを実施し、2023年1月にISO4825-1:2023として制定される。特許国際特許（日本、米国、欧州、中国、台湾）を取得済み 特許第7121953号（基板評価用チップ及び基板評価装置）共同研究2016年11月より、「次世代パワエレ基板の熱特性評価方法」について、菅沼克昭氏（現：大阪大学産業科学研究所特任教授）の指導の元で、共同研究を実施。その研究成果により、ヤマト科学は、「熱特性評価・解析装置」「TEGチップ」の製品化をすることができました。菅沼克昭氏大阪大学産業科学研究所特任教授
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