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02プラズマ装置は、半導体をはじめ電子材料、ドライ洗浄の利用分野がますます広がっています。例えば、シリコンウエーハのレジスト剥離、有機膜の除去、界面活性、マイクロ研磨、あるいはカーボン被膜の除去等、広くその効果を発揮しています。研究開発用はもとよりプロセス用まで、ニーズに対応したプラズマ装置をご提供します。プラズマ装置の概要ここでは表面処理について一般的な例をご紹介します。表面処理の例成型品離型材、オイル・グリース残渣などの除去【使用ガス】Air,O2,O2+CF4【使用ガス】Air,O2,Ar+H2【使用ガス】Ar酸化銅、アルミナなどの酸化被膜の除去高分子材料、PTFE、セラミックなどの表面改質排気ウエーハ(架台付き)エッチングトンネル(アルミメッシュ管)石英反応室マッチングユニットRF電源ガス排気ウエーハアルミ容器下部電極上部シャワー電極間ガス排気恒温水循環装置(チラー)テフロンウエーハアルミ容器下部電極(ステージ温度制御)上部シャワー電極電極間可変マッチングユニットRF電源ウエーハ酸化膜の膜付けレジスト(薬品)塗布膜のエッチングSi基板酸化膜レジスト膜エッチングCF4+O24% レジストのアッシングアッシングO2RIE反応性イオン有機膜絶緑膜SiO2Si基板平坦面絶緑膜再堆積RIE金属自然酸化物Ar＋O2H2OCO2CーH＜処理前＞＜処理後＞反応ガスは被洗浄物により反応するガス排気マッチングユニットRF電源ウエーハアルミ容器下部電極上部シャワー電極電極間可変ガス排気恒温水循環装置(チラー)テフロンウエーハアルミ容器下部電極(ステージ温度上部シャワー電電極間可変マッチングユニットRF電源O2H2OCO2CーHH2ArAr＋H2汚れ＜処理前＞＜処理後＞反応ガスは被洗浄物により反応するウエーハ酸化膜の膜付けレジスト(薬品)塗布膜のエッチングSi酸レエCF レジストのアッシングアORIE反応性イオン有機膜絶緑膜SiO2Si基板RIEAr＋RIEAr＋基板チップボンディングバットプラズマO2H2OCO2CーHCO2CーHHFO2＋CF4H2OArAr＋CuO2CuCuRIECu2OH2ArAr＋H2汚れ＜処理前＞＜処理後＞反応ガスは被洗浄物により反応する有機物の除去バレルバレル平行平板平行平板平行平板無機物の除去表面改質バレル型はシリコンウェハのレジスト膜除去用に作られた装置で、酸素ガスなどを使った有機物の処理に効率的なモデルとなっています。バレル型平行平板型については有機物無機物を問わず処理できる汎用性の高いモデルとなっていて、その応用例は洗浄だけでなくワーク表面に対して様々な処理を行うことができます。平行平板型電極構造の違いによる平行平板型とバレル型
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03製品ラインアップ主に複数枚のウェハを対象としたレジスト膜除去、立体的な樹脂部品の表面改質などが得意です。●:可能 ▲：オプションにて可能 ー：不可型式出力[W]チャンバー有機物の除去無機物の除去表面改質価格（税抜）掲載項AirO2CF4ArAirO2Ar+H2PM10050W未満φ100×160●●ーー●●ー¥1,323,000▶P.8PR200～200φ100×160●●ーー●●ー¥2,321,000▶P.9PR500～500φ215×305●●▲ー●●ー¥6,510,000▶P.6PR510～500φ215×305●●▲ー●●ー¥8,600,000▶P.6PB600～500φ250×400ー●●ーー●ーお問い合わせください▶P.10PB1000～1000φ350×500ー●●ーー●ーお問い合わせください▶P.10●バレル型幅広い処理能力を持ちますが、特に基板などのボンディング前処理や、樹脂板の表面改質などが得意です。●:可能 ▲：オプションにて可能 ー：不可型式出力[W]ステージ/電極間距離有機物の除去無機物の除去表面改質価格（税抜）掲載項AirO2CF4ArAirO2Ar+H2PDC200～300250×170/135ー▲ー●ー●●¥7,280,000▶P.4PDC210～500250×170/135ー▲ー●ー●●¥8,820,000▶P.4PDC510～500410×210/170ー●ー●ー●●¥10,920,000▶P.4V1000～1000280×280/100ー●ー●ー●●お問い合わせください▶P.10●平行平板型様々な領域でプラズマ装置を使った表面処理が用いられています。プラズマ装置の市場・用途レンズ密着・コーティング前処理、コンタクトレンズ含水性向上■有機物の除去 ■表面改質光学関連高分子材料張り合わせ強度向上、フィルム張り合わせ前処理、樹脂成型前処理■表面改質マテリアル関連マイクロチップ強度向上、流路親水性向上、カテーテル・注射針ルアー接着強度向上■有機物の除去 ■表面改質バイオ・医用関連フォトレジスト密着性の向上、レジスト除去■有機物の除去 ■金属酸化物の除去 ■表面改質半導体関連ワイヤーボンディング強度向上、基板封止密着性向上、デスミア処理、チップ重ね合わせ前処理■有機物の除去 ■金属酸化物の除去 ■表面改質IC/LED組立関連アスベスト分析前処理、機器分析用前処理、機器洗浄■有機物の除去機器分析関連
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